特許

J-GLOBAL ID：200903060091729782

キャパシタとその製造方法

発明者： 日数谷 健一 ,  小林 徹 ,  齋藤 勉
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-335369
公開番号（公開出願番号）：特開平5-167034
出願日： 1991年12月19日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 セル蓄積キャパシタの製造方法に関し,効果的な表面積を持った蓄積電極構造を形成する方法を得ることを目的とする【構成】 半導体基板1上において,上面,或いは,側壁の少なくとも一方が櫛歯型の複数の凹凸形状を有する蓄積電極2と,蓄積電極の上面,及び,側面を覆って形成さた誘電体膜3と,誘電体膜3を介して,蓄積電極3と対抗して形成された対向電極4とから形成されているように構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板(1) 上において,上面,或いは,側壁の少なくとも一方が櫛歯型の複数の凹凸形状を有する蓄積電極(2) と,該蓄積電極の上面,及び,側面を覆って形成さた誘電体膜(3) と,該誘電体膜(3) を介して,該蓄積電極(3) と対抗して形成された対向電極(4) とから形成されていることを特徴とするキャパシタ。