特許

J-GLOBAL ID：200903060094777583

水素透過構造体およびその製造方法、修復方法

発明者： 上村 卓 ,  吉田 健太郎 ,  奥田 伸之 ,  日方 威
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (4件)： 中野 稔 ,  服部 保次 ,  山口 幹雄 ,  二島 英明
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2002001166
公開番号（公開出願番号）：WO2002-064241
出願日： 2002年02月12日
公開日（公表日）： 2002年08月22日
要約：

水素透過性膜の剥離をより効果的に防止することができ、それによって耐久性を高めた水素透過構造体とその製造方法を提供することである。水素透過構造体は、多孔質支持体の表面または内部に形成された2μm以下の厚みのパラジウム(Pd)を含有する水素透過性膜を備える。Pdを含有する溶液と還元性原料とを多孔質支持体の両側から供給することによって、多孔質支持体の表面または内部に水素透過性膜を形成する。

請求項（抜粋）：

多孔質支持体の片方の面から、Pdを含有する溶液を供給し、他方の面から還元剤を含有する溶液を供給し、多孔質支持体表面または多孔質支持体内部にPdを含有する薄膜を形成することを特徴とする水素透過構造体の製造方法。

IPC (3件)：

B01D67/00 ,  B01D69/12 ,  B01D71/02

FI (3件)：

B01D67/00 ,  B01D69/12 ,  B01D71/02 500