特許
J-GLOBAL ID：200903060095408743
直列接続型太陽電池
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-009810
公開番号（公開出願番号）：特開平8-204215
出願日： 1995年01月25日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：
【要約】【目的】 分光感度特性が改善され、高変換効率の直列接続型の太陽電池の構造を提供する。【構成】 化合物半導体混晶からなる上部セル4と下部セル2とをトンネル接合層3で直列接続したタンデムセル型太陽電池において、上部セル4のベース層42とBSF層412の不純物密度を等しく、かつ両者の混晶組成を異なる値とすることにより、BSF層412の禁制帯幅Egをベース層42のEgよりも大きくした構造である。またBSF層412の下部にベース層42のEgよりも小さなEgを有した歪緩和層411を具備し、結晶歪みを緩和している。
請求項（抜粋）：
第1導電型の第1のエミッタ層と、該第1のエミッタ層に接した第2導電型の第1のベース層と、該第1のベース層に接した第2導電型の第1のBSF層と、該第1のBSF層に接した第2導電型の歪緩和層とを少なくとも具備するトップセルと、第1導電型の第2のエミッタ層と、該第2のエミッタ層に接した第2導電型の第2のベース層と、該第2のベース層に接した第2導電型の第2のBSF層とを少なくとも具備するボトムセルと、該トップセルとボトムセルとの間に形成され、該トップセルとボトムセルとを互いに直列接続する接合層とから少なくとも構成され、該第1のBSF層および歪緩和層の不純物密度が該第1のベース層の不純物密度と等しいか、これよりも小さな値であり、該第1のBSF層の禁制帯幅が該第1のベース層の禁制帯幅よりも大きく、該歪緩和層の禁制帯幅が該第1のベース層の禁制帯幅よりも小さいことを特徴とする直列接続型太陽電池。
FI (2件)：
H01L 31/04 Y
, H01L 31/04 E
