特許
J-GLOBAL ID：200903060103927313
新規高分子化合物、化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-050089
公開番号（公開出願番号）：特開平10-298236
出願日： 1998年02月16日
公開日（公表日）： 1998年11月10日
要約：
【要約】 (修正有)【解決手段】 式(1)の繰り返し単位を有する高分子化合物のフェノール性OH及び/又はアルコール性OH及び/又はCOOHの一部のH原子が酸不安定基により部分置換され、残りのアルコール性OH及び/又はCOOHの一部とアルケニルエーテル化合物又はハロゲン化アルキルエーテル化合物との反応により得られる分子内及び/又は分子間でC-O-C基を有する架橋基により架橋され、酸不安定基と架橋基との合計量が式(1)におけるフェノール性OH、アルコール性OH及びCOOHの全体の0モル%を超え80モル%以下の割合であるMw1000〜500000の高分子及びこれをベース樹脂とするレジスト材料。(R1はH又はCH3、R2〜R4はアルキル基、R5はH、アルキル基)【効果】 感度、解像性、プラズマエッチング耐性レジストパターンの耐熱性にも優れている。
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物のフェノール性水酸基及び/又はアルコール性水酸基及び/又はカルボキシル基の一部の水素原子が酸不安定基により部分置換され、かつ残りのアルコール性水酸基及び/又はカルボキシル基の一部とアルケニルエーテル化合物もしくはハロゲン化アルキルエーテル化合物との反応により得られる分子内及び/又は分子間でC-O-C基を有する架橋基により架橋されており、上記酸不安定基と架橋基との合計量が式(1)におけるフェノール性水酸基、アルコール性水酸基及びカルボキシル基の全体の平均0モル%を超え80モル%以下の割合である重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。【化1】(式中、R1は水素原子又はメチル基を示し、R2は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R3は炭素数1〜18のヘテロ原子を有してもよい2価の炭化水素基を示し、R4、R5は水素原子又は炭素数1〜18のヘテロ原子を有してもよい1価の炭化水素基を示す。xは0又は正の整数、yは正の整数であり、x+y≦5を満足する数である。x’、z’は0又は正の整数、y’は正の整数であり、x’+y’+z’≦5を満足する数である。p、qは0又は正数、rは正数であるが、pとqは同時に0となることはなく、0≦p≦0.4、0≦q≦0.4、0.01≦p+q≦0.8、p+q+r=1を満足する数である。)
IPC (6件)：
C08F 12/22
, C08F 8/00
, C08K 5/00
, C08L 25/18
, G03F 7/039 601
, H01L 21/027
C08F 12/22
, C08F 8/00
, C08K 5/00
, C08L 25/18
, G03F 7/039 601
, H01L 21/30 502 R
