特許
J-GLOBAL ID：200903060112209245
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 進
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-325782
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177201
出願日： 1992年12月04日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：
【要約】【目的】 小型化でき、高密度実装が可能な半導体装置を提供すること。【構成】 シリコンウェハ2の裏面側から形成した凹部3に埋設された第1の導体4と、シリコンウェハ2の表側に形成された半導体回路5と、この表側から前記第1の導体4に届くスルーホール6に埋設された第2の導体7と、この第2の導体7と半導体回路5とを導通する配線材8とからなる半導体チップ1の裏面側の前記第2の導体7に形成した半田バンプを介して外部リードと接続し、半導体チップ1周囲を樹脂で封止した構造にしている。
請求項（抜粋）：
半導体チップの表面に形成された半導体回路と、前記半導体チップの裏面側に埋設された第1の導体と、前記半導体チップの表面側から前記第1の導体に導通し、前記半導体チップの表面側に埋設された第2の導体と、を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, A61B 1/04
