特許

J-GLOBAL ID：200903060112484122

半導体ウエーハの加工装置及び加工方法

発明者： 冨井 和弥 ,  岩野 英一郎
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-110137
公開番号（公開出願番号）：特開平11-285973
出願日： 1998年04月06日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、例えば半導体ウエーハの端部を鏡面化するための面取り加工において、加工時間と加工費を削減し得る加工技術の提供を目的とする。【解決手段】 粒度の粗いダイヤモンド砥粒が金属の結合剤で結合される金属ボンド砥石1mと、粒度の細かいダイヤモンド砥粒が樹脂の結合剤で結合される樹脂ボンド砥石1rを軸方向に積層して一体化したホイール型砥石1を構成し、それぞれの砥粒層3m、3rに溝mを形成するとともに、ウエーハW端面を金属ボンド砥粒層3mの溝mに摺接させて粗加工し、その後引続いてウエーハW端面を樹脂ボンド砥粒層3rの溝mに摺接させて精加工する。

請求項（抜粋）：

ホイール型砥石と、このホイール型砥石をウエーハに対して相対移動させる相対移動機構を備えた加工装置であって、前記ホイール型砥石は、砥粒が金属の結合剤で結合される金属ボンド砥石と、砥粒が樹脂の結合剤で結合される樹脂ボンド砥石とが軸方向に一体に積層されたものであり、また前記金属ボンド砥石の周面と樹脂ボンド砥石の周面には、ウエーハ端面を加工するための溝がそれぞれに形成されることを特徴とする半導体ウエーハの加工装置。

IPC (4件)：

B24D 3/02 ,  B24B 9/00 601 ,  B24D 3/00 350 ,  H01L 21/304 621

FI (4件)：

B24D 3/02 A ,  B24B 9/00 601 H ,  B24D 3/00 350 ,  H01L 21/304 621 E