特許
J-GLOBAL ID：200903060113323807
半導体集積装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-231616
公開番号（公開出願番号）：特開平6-060661
出願日： 1992年08月07日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：
【要約】【目的】 読み出しと書き込みが同時に起こった場合に、アクセスタイムの増大を防ぎ、高速アクセスをできるようにする。【構成】 読み出しワード線と書き込みワード線が分離されたマルチポートRAMにおいて、読み出しと書き込みが同時に起った場合に、書き込み信号を読み出しビット線に接続するためのトランスファゲート及びメモリセルと読み出しビット線を切断するためのトランスファゲートを設ける。
請求項（抜粋）：
読み出しワード線と書き込みワード線が分離されたマルチポートRAMにおいて、読み出しと書き込みが同時に起った場合に、書き込み信号を読み出しビット線に接続するためのトランスファゲート及びメモリセルと読み出しビット線を切断するためのトランスファゲートを設けたことを特徴とする半導体集積装置。
IPC (2件)：
G11C 11/41
, H01L 27/10 481
