特許
J-GLOBAL ID：200903060118676201
半導体メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小杉 佳男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-150820
公開番号（公開出願番号）：特開平7-141890
出願日： 1993年06月22日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：
【要約】【目的】 読出速度の向上が図られた半導体メモリを提供する。【構成】 ビット線をメモリセル側の第1の部分とセンスアンプ側の第2の部分とに分けるスイッチ素子を備え、第1の部分は第2の部分よりも低電圧にプリチャージする。
請求項（抜粋）：
ビット線を充電した後、該ビット線が放電されるか否かを該ビット線に接続されたセンスアンプにより検出することにより、該ビット線に接続されたメモリセルの記憶内容を読み出す半導体メモリにおいて、前記ビット線の、該ビット線がメモリセルに接続された第1の部分と、前記ビット線の、該ビット線がセンスアンプに接続された第2の部分との間を接断自在に制御するスイッチ素子、前記ビット線の前記第2の部分を充電する第2の充電回路、および前記ビット線の前記第1の部分を、前記第2の充電回路による前記第2の部分の充電電圧よりも低い所定の充電電圧に充電する第1の充電回路を備えたことを特徴とする半導体メモリ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 17/00 309 K
, G11C 11/40 Z
