特許
J-GLOBAL ID：200903060120663460
シリコン単結晶の評価方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 昌久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-240630
公開番号（公開出願番号）：特開平8-075680
出願日： 1994年09月08日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：
【要約】【目的】既に熱処理を施した初期格子間酸素濃度の未知な試料においても酸素析出量を求めることができるシリコン単結晶の評価方法の提供。【構成】X線源7から放射されたX線はスリット板6により方向の揃った細い光束の入射X線3となり試料単結晶1に放射される。ブラッグ条件を満足するように試料の入射X線に対する角度θ1を調節した後、試料単結晶1で回折した回折X線4を試料単結晶1の裏面から受光スリット板6を介してシンチレーションカウンタ5により強度を測定する。その回折X線強度から酸素析出量を算出するものである。
請求項（抜粋）：
シリコンウェーハの表面側にX線を照射し、ある特定の格子面においてブラッグ回折された回折X線を照射面とは異なる面側から取り出して回折X線強度を測定することにより、予め熱処理を施した被検体シリコンウェーハの回折X線強度と酸素析出量との相関関係を用意し、被検体シリコンウェーハの熱処理後の回折X線強度から該被検体シリコンウェーハの酸素析出量を求めるシリコン単結晶の評価方法であって、熱処理を施した被検体シリコンウェーハの回折X線強度を測定し、前記相関関係から酸素析出量を算出することを特徴とするシリコン単結晶の評価方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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