特許

J-GLOBAL ID：200903060123432000

タンタル酸化物膜、その製造法および用途

発明者： 加藤 仁史 ,  志保 浩司 ,  岡田 幸子 ,  米倉 勇
出願人/特許権者： JSR株式会社
代理人 (1件)： 大島 正孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-157600
公開番号（公開出願番号）：特開2004-104080
出願日： 2003年06月03日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：

【課題】キャパシタンスが大きく且つリーク電流が少ないタンタル酸化物膜およびその製造法を提供すること。【解決手段】0.004F/m2以上の範囲のキャパシタンスを有しおよび電界強度-1.25〜+1.25MV/cmの範囲1×10-8A/cm2以下のリーク電流しか示さないタンタル酸化物膜およびその製法。この膜はCMOS用キャパシタや半導体デバイス用絶縁膜として用いられる。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

0.004F/m2以上の範囲のキャパシタンスを有しおよび電界強度-1.25〜+1.25MV/cmの範囲で1×10-8A/cm2以下のリーク電流しか示さない、ことを特徴とするタンタル酸化物膜。

IPC (5件)：

H01L21/316 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/04 ,  H01L27/108

FI (3件)：

H01L21/316 G ,  H01L27/10 651 ,  H01L27/04 C

Fターム (22件)：

5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038DF01 ,  5F038DF05 ,  5F038DF12 ,  5F038EZ16 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BH02 ,  5F058BH03 ,  5F058BH17 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ04 ,  5F083AD11 ,  5F083GA27 ,  5F083JA06 ,  5F083JA38 ,  5F083PR23