特許
J-GLOBAL ID：200903060127620022
不揮発性半導体メモリ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-267143
公開番号（公開出願番号）：特開平11-110981
出願日： 1997年09月30日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】【課題】 書き換え可能回数と保持時間を長くする。【解決手段】複数のメモリセクタ中の特定のメモリセクタを高信頼性領域として設定し、該領域においては書き込みを行う際に2個以上のメモリセルに対して同時に書き込みを行うとともに読み出しの際には同時に書き込みされた前記メモリセルを同時に読み出すようにする不揮発性半導体メモリ装置であって、外部からのコマンドに応じた前記特定のメモリセクタの選択データを保持する不揮発性トランジスタを備えたSSE回路502と、該SSE回路502の出力信号に応じて前記特定のメモリセクタに加わるアドレスデータの信号を変化させる選択手段とを含み前記コマンドにより高信頼性領域のメモリセクタの大きさを調整できるようにしたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
複数のメモリセクタ中の特定のメモリセクタを高信頼性領域として設定し、該領域においては書き込みを行う際に2個以上のメモリセルに対して同時に書き込みを行うとともに読み出しの際には同時に書き込みされた前記メモリセルを同時に読み出すようにする不揮発性半導体メモリ装置であって、外部からのコマンドに応じた前記特定のメモリセクタの選択データを保持する不揮発性トランジスタを備えたSSE回路と、該SSE回路の出力信号に応じて前記特定のメモリセクタに加わるアドレスデータの信号を変化させる選択手段とを含み前記コマンドにより高信頼性領域のメモリセクタの大きさを調整できるようにしたことを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G11C 17/00 601 Q
, G11C 17/00 601 T
, G11C 17/00 621 B
