特許
J-GLOBAL ID：200903060128846067
バンプ形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-008249
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216135
出願日： 1993年01月21日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：
【要約】【構成】 ウエハ(チップ1a)の電極上に、第1層7と、この第1層7の表面を覆う接合材としての第2層21とからなるバンプ3を形成するバンプ形成方法であって、上記電極上に上記第1層7をメッキにより形成した後、一側面に上記第2層21となるハンダ層19が被着された帯状テ-プ13の前記一側面を、上記第1層7に対向させたならば、ボンディングツ-ル16を用い、上記第1層7と上記テ-プ13の一側面とを熱圧着することで、上記第2層21を上記第1層7の表面に形成するものである。【効果】 第1層の表面に第2層を形成する際に、複雑でかつ高精度な位置合わせを必要とせず、かつ上記第2層の厚さコントロ-ルを容易に行うことができるという効果がある。
請求項（抜粋）：
半導体素子の電極上に、第1層と、この第1層の表面を覆う第2層とを有するバンプを形成するバンプ形成方法において、上記電極上に上記第1層をメッキにより形成する第1の工程と、一側面に上記第2層となる材料が被着された帯状テ-プの前記一側面を、上記第1層に対向させる第2の工程と、上記第1層と上記テ-プの一側面とを熱圧着することで、上記第2層となる材料を上記第1層の表面に転写する第3の工程とを有することを特徴とするバンプ形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/321
, H01L 21/60 311
