特許

J-GLOBAL ID：200903060131204688

光デイスク原盤及びその製作方法

発明者： 土谷 雅夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 田辺 恵基
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-119523
公開番号（公開出願番号）：特開平7-302443
出願日： 1994年05月09日
公開日（公表日）： 1995年11月14日
要約：

【要約】【目的】本発明は、簡易に製作し得る光デイスク原盤及びその製作方法の実現を目的とするものである。【構成】プラスチツク円板上にラジカル重合型の光硬化型樹脂からなる光硬化型樹脂層を形成し、低酸素濃度雰囲気下において光硬化型樹脂層に光を照射することにより光硬化型樹脂層を所定状態に硬化させ、硬化した光硬化型樹脂層上にフオトレジストからなるフオトレジスト層を形成し、フオトレジスト層に信号を記録した後、現像するようにして光デイスク原盤を製作するようにしたことにより、大規模な設備及び装置を必要とせずに光デイスク原盤を製作することができ、かくして簡易に形成することのできる光デイスク原盤及びその製作方法を実現できる。

請求項（抜粋）：

光デイスクを成形するスタンパの型となる光デイスク原盤において、プラスチツク円板上にラジカル重合型の光硬化型樹脂からなる光硬化型樹脂層を形成し、低酸素濃度雰囲気下において上記光硬化型樹脂層に光を照射することにより上記光硬化型樹脂層を所定状態に硬化させ、硬化した上記光硬化型樹脂層上にフオトレジストからなるフオトレジスト層を形成し、上記フオトレジスト層に信号を記録した後、現像することにより形成したことを特徴とする光デイスク原盤。