特許

J-GLOBAL ID：200903060132713560

圧電デバイス素子とその製造方法

発明者： 小阪 彰伯
出願人/特許権者： シチズン時計株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-065855
公開番号（公開出願番号）：特開2002-271167
出願日： 2001年03月09日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：

【要約】【課題】 溶液を使用するエッチングにより圧電デバイス素子を製造するのに結晶の異方性により輪郭及び輪郭側面の形状がばらつきを生じやすく、特性が不安定で設計が困難である。【解決手段】圧電デバイス素子の断面を台形に近い形状にする事で、異方性により結晶の異方性に影響されにくい輪郭側面の形状にし、個々の圧電デバイス素子でばらつきを防ぎ、特性を安定させる。また、個々の圧電体デバイス素子を台形に近い形状とすることで異方性エッチング後に圧電デバイス素子を個々に分離するのを容易とする。

請求項（抜粋）：

機械加工で単結晶のウエハーを形成後に、異方性エッチングで前記ウエハーを溶液に侵して輪郭を形成する圧電体片と、前記圧電体片の少なくとも表裏主面に配する電極と、からなる圧電デバイス素子において、前記圧電体片の主面に垂直な少なくとも一ヶ所の断面の輪郭が、ほぼ台形、台形に近い五角形または台形に近い多角形であることを特徴とする圧電デバイス素子。

IPC (4件)：

H03H 9/19 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/22 ,  H03H 3/02

FI (4件)：

H03H 9/19 A ,  H03H 3/02 C ,  H01L 41/08 C ,  H01L 41/22 Z

Fターム (10件)：

5J108BB01 ,  5J108BB02 ,  5J108CC05 ,  5J108DD02 ,  5J108EE03 ,  5J108EE07 ,  5J108GG03 ,  5J108GG16 ,  5J108KK01 ,  5J108MM08