特許

J-GLOBAL ID：200903060134505999

半導体装置およびその作製方法

発明者： 寺本 聡
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-165931
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008439
出願日： 1994年06月23日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：

【要約】【目的】 ゲイト絶縁膜中に可動イオン、水素等が侵入しない構成を有する絶縁ゲイト型半導体装置を提供する。【構成】 薄膜珪素半導体を用いた絶縁ゲイト型電界効果半導体装置において、活性層を覆うゲイト絶縁膜を主として、珪素、酸素、窒素で示される薄膜で構成する。また、このようなゲイト絶縁膜においては、窒素の濃度をゲイト電極との界面で大きくすることにより、ゲイト電極を構成する材料がゲイト絶縁膜に拡散することを防ぐことができる。また、同じく窒素の濃度を活性層の界面で大きくすることにより、活性層中から水素イオン等がゲイト絶縁膜に拡散することを防ぐことができる。さらに、ゲイト絶縁膜を形成する前に活性層表面をレーザーもしくはそれと同等な強光を照射することにより酸化もしくは窒化しておくことにより、上記の効果を高めることができる。

請求項（抜粋）：

絶縁ゲイト型電界効果半導体装置であって、ゲイト絶縁膜が、主として珪素、酸素、窒素で構成されており、窒素の膜厚方向に対する分布が変化していることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/263 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 311 G ,  H01L 29/78 311 Y