特許
J-GLOBAL ID：200903060142075782
電界放出型冷陰極及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-017447
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213201
出願日： 1996年02月02日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：
【要約】【課題】 容易にアノード電極を近接して設置できる電界放出型冷陰極を提供する。【解決手段】 構造基板と、構造基板上に形成された突起状のエミッタ層と、少なくともエミッタ層の先端領域が露出するような開口を有し、かつエミッタ層を除く領域に多孔質の凸状体を有する絶縁層と、絶縁層の開口端、凸状体、及びエミッタ層の先端領域を除く領域上に形成されたゲート電極層とを具備することを特徴とする電界放出型冷陰極。
請求項（抜粋）：
構造基板と、該構造基板上に形成された突起を有する芯材層と、該芯材層の突起の先端領域に形成された先の尖ったエミッタ層と、該芯材層上に形成され、少なくとも該エミッタ層の先端領域が露出するような開口を有し、かつ該エミッタ層を除く領域に多孔質の凸状体を有する絶縁層と、該絶縁層の開口端、凸状体、及び該エミッタ層の先端領域を除く領域上に形成されたゲート電極層とを具備することを特徴とする電界放出型冷陰極。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 1/30 B
, H01J 9/02 B
