特許

J-GLOBAL ID：200903060144037330

アルカリ金属ドープC60系超電導体

発明者： 柵木 玉樹
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-055124
公開番号（公開出願番号）：特開平5-258621
出願日： 1992年03月13日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】【目的】 大気中では安定性や臨界温度Tc を向上させたり、あるいは臨界電流密度Jc を向上させる等によって、実用性を高めたアルカリ金属ドープC60系超電導体を提供する。【構成】 アルカリ金属元素をドープした、C60で表される炭素クラスターにより構成されたアルカリ金属ドープC60超電導体である。このC60系超電導体中に、大気中における安定性や臨界温度Tc の向上を目的として、水素分子やCn H2n+2、Cn H2n、Cn H2n-2(nは 1〜 3程度の数を示す)等の低級炭化水素分子等を低温で吸収させる。また、アルカリ金属ドープC60超電導体中に、磁束ピン止め中心として、放射線照射による無秩序領域やC70等の非超電導相の炭素クラスターを適量導入する。

請求項（抜粋）：

アルカリ金属元素をドープした、C60で表される炭素クラスターにより構成された超電導体であって、前記超電導体中に、水素および低級炭化水素分子から選ばれた少なくとも 1種の分子が吸収されていることを特徴とするアルカリ金属ドープC60系超電導体。

IPC (5件)：

H01B 12/00 ZAA ,  C01B 31/02 ZAA ,  C01B 31/02 101 ,  C07F 1/00 ,  H01L 39/12 ZAA