特許
J-GLOBAL ID：200903060146271209
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 正康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-246107
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092821
出願日： 1995年09月25日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：
【要約】【課題】 出力容量が小さく、高耐圧の横型DMOS形FETを形成する半導体装置を実現することを目的にする。【解決手段】 本発明は、ドレイン層,ドリフトチャネル層,ゲート電極,ソース層の順に中心からレーストラック形状に形成され、ドレイン層からドレイン電極をレーストラック形状の外部に引き出す横型DMOS形FETを形成する半導体装置に改良を加えたものである。本装置は、ドレイン電極下に層間膜を介して形成されるゲート電極を平坦な酸化膜上に形成することを特徴とする装置である。
請求項（抜粋）：
ドレイン層,ドリフトチャネル層,ゲート電極,ソース層の順に中心からレーストラック形状に形成され、ドレイン層からドレイン電極をレーストラック形状の外部に引き出す横型DMOS形FETを形成する半導体装置において、前記ドレイン電極下に層間膜を介して形成される前記ゲート電極を平坦な酸化膜上に形成することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 29/78 301 D
, H01L 21/94 A
, H01L 29/78 301 G
