特許
J-GLOBAL ID：200903060156663920
チップインダクタの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
廣澤 勲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-130340
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323344
出願日： 1999年05月11日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：
【要約】【課題】小型化が可能であり、信頼性が高く、インダクタとしての性能も高いチップインダクタの製造方法を提供する。【解決手段】セラミックスや少なくとも表面を絶縁性にした磁性材料等の絶縁性の平面状基材12を設け、この基材12に所定間隔で複数対の開口部26を形成し、この各対になった開口部26で挟まれる部分の基材12の形状を、基材12の表面に対して垂直方向の面を有しない側面形状にする。基材12の表面に導電体膜14を形成し、この基材12の表面の導電体膜14をエッチングレジストで被覆し、開口部26間の基材12の表面のエッチングレジストを所定の螺旋パターンに感光させ、エッチングレジストを螺旋状に残し、螺旋状のエッチングレジストが残った部分以外の導電体膜14を除去して、螺旋状の導電体パターン18を形成する。
請求項（抜粋）：
平面状で絶縁性の基材を設け、この基材に所定間隔で複数対の開口部を形成し、この各対になった開口部で挟まれる部分の基材の形状を、上記基材表面に対して垂直方向の面を有しない側面形状にし、この基材表面に導電体膜を形成し、この基材表面の導電体膜をエッチングレジストで被覆し、上記開口部間の上記基材表面のエッチングレジストを感光させて所定の螺旋パターンを形成し、上記エッチングレジストを螺旋状に残し、上記螺旋状のエッチングレジストが残った部分以外の上記導電体膜を除去して、螺旋状の導電体パターンを形成するチップインダクタの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01F 41/04 C
, H01F 17/00 G
5E062DD01
, 5E070AA01
, 5E070AB01
, 5E070BA11
, 5E070CB12
, 5E070CC10
, 5E070DA13
, 5E070EA01
, 5E070EB03
