特許

J-GLOBAL ID：200903060158945388

不揮発性メモリ素子

発明者： 春山 星秀
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-169486
公開番号（公開出願番号）：特開2002-368139
出願日： 2001年06月05日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：

【要約】【課題】 フローティングゲート型不揮発性メモリ素子のトンネル酸化膜は書き換え回数の増加とともに劣化するため、書き換え回数の増加に伴って、フローティングゲート中の電子が抜けやすくなる。【解決手段】 半導体基板21と、半導体基板内21に設けられたソース領域22及びドレイン領域23と、半導体基板21上に設けられた酸化膜24と、酸化膜24上に設けられたフローティングゲート25と、フローティングゲート25上に設けられた絶縁膜27と、絶縁膜27上に設けられたコントロールゲート28から構成されるフローティングゲート型不揮発性メモリ素子において、フローティングゲート25内部にフローティングゲート25を構成する物質よりもバンドギャップの小さな物質を埋め込んでポテンシャル井戸26を形成し、ポテンシャル井戸26内に電子を保持して、閾値電圧を制御する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板内に設けられたソース領域及びドレイン領域と、前記半導体基板上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられたコントロールゲートと、前記絶縁膜内に設けられたフローティングゲートから構成される不揮発性メモリ素子において、前記フローティングゲート内部に前記フローティングゲートを構成する物質よりもバンドギャップの小さな物質が埋め込まれてポテンシャル井戸構造が形成されており、前記ポテンシャル井戸内に電子を保持して閾値電圧を制御するように構成されていることを特徴とする不揮発性メモリ素子。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434

Fターム (24件)：

5F083EP03 ,  5F083EP04 ,  5F083EP09 ,  5F083EP13 ,  5F083EP23 ,  5F083ER05 ,  5F083ER09 ,  5F083ER19 ,  5F083ER29 ,  5F083ER30 ,  5F083GA21 ,  5F083JA31 ,  5F101BA03 ,  5F101BA07 ,  5F101BA12 ,  5F101BA16 ,  5F101BA17 ,  5F101BA19 ,  5F101BA29 ,  5F101BA36 ,  5F101BB05 ,  5F101BC02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07