特許

J-GLOBAL ID：200903060162601570

マイクロ波・ミリ波モノリシック集積回路

発明者： 志村 利宏 ,  大橋 洋二 ,  齊藤 民雄
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  株式会社ミリウェイブ
代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-031437
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240369
出願日： 1994年03月01日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：

【要約】【目的】 マイクロ波・ミリ波モノリシック集積回路に関し、使用周波数以外の不要な低い周波数帯での発振を防止できる機能を有し、かつチップ面積を小さくすることことを目的とする。【構成】 信号伝送線路2、3を、使用周波数の1/4波長の長さを有する1/4波長線路21、22を介して、容量の異なる第1のMIMキャパシタ23、24および第2のMIMキャパシタ27、28で接地し、容量の大きい方の第2のMIMキャパシタ27、28には抵抗25、26を直列に接続するように構成する。1/4波長線路21、22、抵抗25、26および第2のMIMキャパシタ27、28の回路構成は、使用周波数でバイアス回路となり、使用外低周波域で発振防止の安定化回路として作用する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けられる能動素子(1)と、前記半導体基板の表面に形成された電極に前記半導体基板の裏面に形成された接地電極を電気的に接続するバイアホール(4)とを少なくとも備えたマイクロ波・ミリ波モノリシック集積回路において、一端が前記能動素子の信号伝送線路に接続され、他端にはバイアス電圧を印加するバイアス線路が接続された、1/4波長線路(21,22)と、上部電極が前記1/4波長線路の他端に接続され、下部電極が前記バイアホールの電極に接続された第1のMIMキャパシタ(23,24)と、一端が前記1/4波長線路の他端に接続された抵抗(25,26)と、上部電極が前記抵抗の他端に接続され、下部電極が前記バイアホールの電極に接続される、容量が前記第1のMIMキャパシタより大きい第2のMIMキャパシタ(27,28)と、を備えていることを特徴とするマイクロ波・ミリ波モノリシック集積回路。

IPC (6件)：

H01L 21/06 ,  H01L 21/8232 ,  H01L 23/12 301 ,  H01L 27/095 ,  H01P 5/02 ,  H03F 3/60

FI (2件)：

H01L 27/06 F ,  H01L 29/80 E

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平3-192801