半導体装置およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高山敏夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-210541
公開番号（公開出願番号）：特開平8-056047
出願日： 1994年08月10日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：

【要約】【目的】レーザの端面近傍に堆積された絶縁膜から発生する応力分布によって活性層内に転位欠陥が発生し、ダークライン劣化などが起る欠点のない信頼性の高い半導体装置を提供すること。【構成】基板1上にn-GaAsバッファ層2、n-AlGaAsクラッド層3、AlGaAsガイド層4、AlGaAsSCH層5、InGaAs歪量子井戸活性層6、AlGaAsSCH層7、AlGaAsガイド層8、p-AlGaAsクラッド層9、p+ -GaAsコンタクト層10を形成してなる半導体装置において、非励起領域に半導体層からなるAlGaAs電流ブロック層11を設ける構造。

請求項（抜粋）：