特許

J-GLOBAL ID：200903060165883363

半導体装置の製造方法

発明者： 水島 一郎 ,  柏木 正弘
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-252530
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090495
出願日： 1991年09月30日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 十分なキャパシタ容量を確保することができ、信頼性の高いキャパシタを提供する。【構成】 2種以上の金属元素を含む金属薄膜を形成した後、この金属薄膜に酸素を導入し熱処理を行うことにより、複酸化物絶縁膜を形成する方法。第1の金属を含む薄膜を堆積し、この薄膜中に第2の金属をイオン注入した後、この薄膜内に酸素を導入し熱処理を行う方法。第1の金属の酸化物を堆積したのち、第2の金属をイオン注入し熱処理を行うことにより、複酸化物絶縁膜を形成する方法。第1の金属を含む薄膜を堆積し、この薄膜の所定の深さまで第2の金属をイオン注入したのち、この薄膜内に酸素を導入し熱処理を行う方法。

請求項（抜粋）：

第1の電極を形成する第1の電極形成工程と、前記第1の電極の上層に、2種以上の金属元素を含む金属薄膜を形成する工程と、この金属薄膜に酸素を導入し熱処理を行うことにより、複酸化物絶縁膜を形成する熱処理工程と、この上層に第2の電極を形成する第2の電極形成工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/265 ,  H01L 27/108

FI (2件)：

H01L 21/265 A ,  H01L 27/10 325 J