特許
J-GLOBAL ID：200903060165954287
半導体装置の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-040572
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232069
出願日： 1993年02月04日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：
【要約】【目的】 高エネルギーのイオンを照射することによって導入された不純物を有するシリコン半導体膜にパルスレーザー光を照射することによって、活性化をおこなう方法において、得られるシリコン膜の信頼性を向上させる方法を提供する。【構成】 不純物のドーピングされたシリコン膜を100〜500°Cの温度に保持して、レーザーを照射することによって、レーザー照射に伴う温度の変動を抑制し、活性化の効率を高める。
請求項（抜粋）：
不純物を有するシリコン膜を100°C以上の温度に加熱し、これにパルスレーザー光を照射することによって、不純物原子の活性化をおこなうことを特徴とする半導体装置の作製方法
IPC (3件)：
H01L 21/268
, H01L 21/336
, H01L 29/784
