特許

J-GLOBAL ID：200903060169344629

Al系金属配線構造およびそのパターニング方法

発明者： 門村 新吾
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-072364
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283216
出願日： 1994年04月12日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】 SiON等Oを構成元素として含む反射防止層を用いた微細幅のAl系金属配線を、形状制御性よくパターニングするための配線構造およびそのパターニング方法を提供する。【構成】 Al系金属層3上の反射防止層4をF系ガスで等方性エッチングしてアンダカットを入れた後、Al系金属層3をCl系ガスで異方性エッチングする。アンダカット部をイオウ系材料で被覆してもよい。【効果】 レジストマスクの後退による反射防止層の露出がなく、反射防止層がエッチングされてOをプラズマ中に放出することがない。従ってAl系金属層パターニング時に側壁保護膜形成が阻害されず、異方性加工が可能となる。反射防止層がAl系金属層より幅狭に形成された構造なので、層間絶縁膜のステップカバリッジも向上する。

請求項（抜粋）：

Al系金属層上にOを構成元素として含む反射防止層が形成されたAl系金属配線構造において、前記反射防止層の幅が該Al系金属配線の幅よりも狭く形成されているとともに、前記反射防止層が形成されている部位以外の該Al系金属配線の上面は、AlFx が形成された構造を含むことを特徴とする、Al系金属配線構造。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/3213

FI (2件)：

H01L 21/88 N ,  H01L 21/88 D