基板処理装置および基板処理方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-333291
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164552
出願日： 1998年11月24日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】基板に供給するオゾン水中のオゾン濃度を高めることができて、基板の表面に付着した有機物や金属汚染物等を確実に除去できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】純水導入部4から循環経路2に導入された純水を冷却部25で例えば15°C以下に冷却した後、混合部33に導入されたオゾンと混合させてオゾン濃度が例えば25ppm以上のオゾン水を生成する。この生成されたオゾン水は、洗浄槽12に供給されて貯留される。そして、洗浄槽12に貯留されたオゾン水11に複数の基板Wを浸漬させるとともに、超音波発生器15によってオゾン水11に超音波振動を付与して基板Wを洗浄処理する。また、冷却部25は温度センサ17または濃度測定部26からそれぞれ送信された温度信号STまたは濃度信号SDに基づいて制御部6によって制御される。

請求項（抜粋）：

【請求項1】基板にオゾン水を供給して基板に所定の処理を施す基板処理装置において、純水またはオゾン水を冷却する冷却手段と、冷却手段によって冷却された純水またはオゾン水にオゾンを溶解させる溶解手段と、溶解手段によってオゾンが溶解されたオゾン水を基板に供給する供給手段と、を有することを特徴とする基板処理装置。

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