特許

J-GLOBAL ID：200903060173303163

シリコンの精製方法およびシリコンの精製装置

発明者： 福山 稔章 ,  和田 健司 ,  早川 尚志
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-043448
公開番号（公開出願番号）：特開2003-238138
出願日： 2002年02月20日
公開日（公表日）： 2003年08月27日
要約：

【要約】【課題】 効率よくシリコンを精製することができるシリコンの精製方法およびシリコンの精製装置を提供する。【解決手段】 シリコンの精製装置1は、坩堝7と、坩堝7中にシリコンと不純物とを含む原料体2と、不純物を除去するスラグ剤3とを投入する投入手段5と、原料体2とスラグ剤3とを加熱して融液6を形成する電磁誘導加熱装置8と、融液6を攪拌する攪拌部材9と、ガス供給手段としてのガス噴出口33とを備える。

請求項（抜粋）：

シリコンと不純物とを含む原料体と、前記不純物を除去する不純物除去剤とを含む融液を準備する工程と、前記融液を攪拌する工程と、攪拌されている前記融液に、前記不純物を除去するガスを供給する工程とを備えた、シリコンの精製方法。

Fターム (8件)：

4G072AA01 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072GG04 ,  4G072GG05 ,  4G072HH01 ,  4G072MM08 ,  4G072UU02