特許

J-GLOBAL ID：200903060175387321

波長可変半導体レーザ装置

発明者： 野極 誠二
出願人/特許権者： 安藤電気株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-032606
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224517
出願日： 1993年01月28日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：

【要約】【目的】 波長を可変する速度が早く、広い波長範囲の波長を可変できる半導体レーザを提供する。【構成】 半導体活性層1は、レーザ共振器の光導波路内に導波路方向に互いに平行に近接配置して形成し、共通の半導体基板8上に集積され、電流注入により光利得を生じ、電界印加によって光吸収量が変化する半導体光吸収変化層2は半導体活性層1の電流注入とは独立に電界印加を行い、電界印加による光吸収の変化から半導体活性層1の屈折率を変化させ、さらに、波長選択性を持たせるための光分布帰還を行う分布回折格子5をレーザ共振器内の光導波方向に、半導体活性層1及び半導体光吸収変化層2と平行して備える。

請求項（抜粋）：

レーザ共振器の光導波路内に、導波路方向に互いに平行に近接配置して形成し、共通の半導体基板(8) 上に集積され、電流注入により光利得を生ずる半導体活性層(1) と、電界印加によって光吸収量が変化する半導体光吸収変化層(2) を備え、半導体光吸収変化層(2) は半導体活性層(1) の電流注入とは独立に電界印加を行い、電界印加による光吸収の変化から半導体活性層(1) の屈折率を変化させ、レーザ光の波長を可変することを特徴とする波長可変半導体レーザ装置。