特許

J-GLOBAL ID：200903060181468953

窒化ガリウム半導体層を有する半導体装置及びその製造方法

発明者： 大塚 康二 ,  柳原 将貴
出願人/特許権者： サンケン電気株式会社
代理人 (1件)： 高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-320498
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145063
出願日： 1997年11月05日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：

【要約】【課題】 発光ダイオードのための窒化ガリウム系化合物半導体の結晶性を十分に向上させることが困難であった。【解決手段】 サファイア基板1の上にGaInNの第1のバッファ層2aを設ける。第1のバッファ層2aの上にAlを含有しているAlGaInNから成る第2のバッファ層2bを設ける。第2のバッファ層2bの上に第2のバッファ層2bよりもAlの含有率が大きいAlGaInNから成る第3のバッファ層2cを設ける。第3のバッファ層2cの上にGaNから成るクラッド層3を設ける。

請求項（抜粋）：

サファイア基板と、前記サファイア基板の一方の主面に形成されたバッファ層と、前記バッファ層の上に形成されたGaN又はGaNを主成分とする半導体層とを備えた半導体装置であって、前記バッファ層が、Al<SB>x </SB>Ga<SB>y </SB>In<SB>1-x-y </SB>N(但し、0≦x<1、0≦x+y<1を満足する値である。)から成り、Alの含有率が前記サファイア基板側から前記半導体層側に向って段階的又は連続的に増大していることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/86 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/86