特許

J-GLOBAL ID：200903060182260256

薄膜高誘電体キャパシタの製造方法

発明者： 宮谷 克明
出願人/特許権者： 新日本無線株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-143457
公開番号（公開出願番号）：特開2004-349394
出願日： 2003年05月21日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：

【課題】安定で歩留まり良く、且つ高性能な薄膜高誘電体キャパシタを形成することができる製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板表面の絶縁膜上に下部電極と、BaxSr1-xTiO3からなる高誘電体膜と、上部電極とを備えた薄膜高誘電体キャパシタの製造方法において、高誘電体膜上に白金膜と、白金膜と高誘電体膜との間の応力を緩和する厚さの金膜を積層形成した後、酸素雰囲気中で熱処理し、上部電極を形成する。特に、白金膜の厚さを50nm〜200nmとすると、特性の優れたキャパシタを形成することができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板表面の絶縁膜上に下部電極と、該下部電極上にBaxSr1-xTiO3(0≦x≦1)からなる高誘電体膜と、該高誘電体膜上に上部電極とを備えた薄膜高誘電体キャパシタの製造方法において、 前記上部電極を形成する工程は、前記高誘電体膜上に白金膜と、該白金膜と前記高誘電体膜との間の応力を緩和する厚さの金膜を積層形成した後、酸素雰囲気中で熱処理を行う工程を含むことを特徴とする薄膜高誘電体キャパシタの製造方法。

IPC (5件)：

H01L21/822 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/04 ,  H01L27/108

FI (3件)：

H01L27/04 C ,  H01L21/316 G ,  H01L27/10 651

Fターム (17件)：

5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038BH03 ,  5F038DF02 ,  5F038EZ17 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BF46 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ04 ,  5F083FR01 ,  5F083GA27 ,  5F083JA14 ,  5F083JA38 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33