特許

J-GLOBAL ID：200903060184174454

プロトン交換膜及びその製造方法

発明者： 北川 宏 ,  長尾 祐樹
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (2件)： 平山 一幸 ,  海津 保三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-186932
公開番号（公開出願番号）：特開2004-031173
出願日： 2002年06月26日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：

【課題】室温で高いプロトン伝導性を有すると共に、低コストで製造され得るようにした、プロトン交換膜を提供する。【解決手段】配位高分子金属錯体R2 dtoaM(ここで、Mは金属)の層間に水分子を吸蔵させて構成する。高いプロトン伝導性を有する。配位高分子金属錯体は、アルキル基Rの位置に水素を配位したH2 dtoaCu,(C2 H4 OH)2 dtoaCu,(C3 H6 OH)2 dtoaCuなどでよい。H2 dtoaCuのプロトン交換膜は、室温において、ナフィオンに匹敵するプロトン伝導率10-2S・cm-1という高い伝導性を有し、150°Cまで動作する。さらに、プロトン交換膜の製造方法を提供する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

配位高分子金属錯体R2 dtoaM(ここで、Mは金属)からなることを特徴とする、プロトン交換膜。

IPC (2件)：

H01M8/02 ,  H01M8/10

FI (2件)：

H01M8/02 P ,  H01M8/10

Fターム (5件)：

5H026AA06 ,  5H026BB02 ,  5H026BB10 ,  5H026CX05 ,  5H026EE18

引用文献：

出願人引用 (1件)

• ルベアン酸系銅錯体のプロトン伝導

審査官引用 (1件)

• ルベアン酸系銅錯体のプロトン伝導