半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉浦正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-133815
公開番号（公開出願番号）：特開平10-326836
出願日： 1997年05月23日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：

【要約】【課題】素子の耐圧を劣化させることなく、半導体装置の製造に要する時間を短縮することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板1中にn型ポケット層4を形成し、半導体基板1上にn型エピタキシャル層5を形成する。n型ポケット層4に対応する部分におけるn型エピタキシャル層5中にp+ 型埋め込み拡散層10を形成し、n型エピタキシャル層5上にn型エピタキシャル層12を形成する。n型ポケット層4に対応する部分と異なる部分におけるn型エピタキシャル層5中にn+ 型埋め込み拡散層9を形成してもよい。半導体基板1中にn型ポケット層4を形成し、これと異なる部分におけるn型エピタキシャル層5中にn+ 型埋め込み拡散層9を形成することで、互いに耐圧の異なるバイポーラトランジスタを同一の半導体基板1上に混載することも可能である。

請求項（抜粋）：

半導体基板中にこの半導体基板の導電型と逆導電型の拡散層を形成する工程と、上記半導体基板上に第1のエピタキシャル層を形成する工程と、上記拡散層に対応する部分における上記第1のエピタキシャル層中に上記拡散層の導電型と逆導電型の埋め込み拡散層を形成する工程と、上記第1のエピタキシャル層上に第2のエピタキシャル層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/8222 , H01L 27/082

引用特許：

審査官引用 (20件)

特開平2-174234
特開平2-174234
特開平2-105421

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