特許
J-GLOBAL ID:200903060189850580

ガーネット導波路の形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 中本 宏 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-102480
公開番号(公開出願番号):特開平5-281430
出願日: 1992年03月30日
公開日(公表日): 1993年10月29日
要約:
【要約】【目的】 低損失のガーネット導波路を形成する製法を提供する。【構成】 一般式R3 Fe5 O12で示される磁性ガーネット膜、又は置換型ガーネット膜で形成される導波路の形成方法において、基板上に対となる2本のリッジを形成する工程、それらの上に下部クラッド層となるガーネット単結晶膜を成長させる工程、2本のリッジの中間にある溝に導波部を形成させる工程、及びこれらの上に上部クラッド層を形成する工程の各工程を包含するガーネット導波路の形成方法。【効果】 ガーネット膜を用いたデバイスの作製が容易になり、産業上の利点が大きい。
請求項(抜粋):
一般式R3 Fe5 O12で示される磁性ガーネット膜、又は該ガーネットの酸素以外の構成元素の一部を等価な価数を有する一種以上の元素で置き換えた置換型ガーネット膜で形成される導波路の形成方法において、導波路を形成する前工程として、一本の導波路に対してあらかじめガーネット結晶基板上に対となる2本のリッジを形成する工程、該2本のリッジを形成したガーネット結晶基板上に下部クラッド層となるガーネット単結晶膜を成長させる工程、2本のリッジの中間領域に自然に形成される下部クラッド層となるガーネット単結晶面よりなる溝に、選択的に導波部となるガーネット単結晶膜を形成させる工程、及び該導波部となるガーネット単結晶膜と該下部クラッド層となるガーネット単結晶膜の上に上部クラッド層となるガーネット単結晶膜を成長させる工程の各工程を包含することを特徴とするガーネット導波路の形成方法。
IPC (2件):
G02B 6/12 ,  G02F 1/095

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