特許
J-GLOBAL ID：200903060198693306
鉄シム静磁場補正手段を備えたMRI用超電導磁石装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井島 藤治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-140607
公開番号（公開出願番号）：特開平5-329129
出願日： 1992年06月01日
公開日（公表日）： 1993年12月14日
要約：
【要約】【目的】 静磁場用磁石のクリアボアと内側勾配磁場コイルの直径を変えないで、シールド勾配磁場コイルの効率を良くすることのできる鉄シム静磁場補正手段を備えたMRI用超電導磁石装置を実現することである。【構成】 鉄シムアセンブリ2を静磁場用磁石1の内側に取り付けず、外側勾配磁場コイル4の内側に取り付けることにより、外側勾配磁場コイル4の直径を大きくすることができ、外側勾配磁場コイル4に流す必要電流を小さくすることが可能となり、効率の良い超電導磁石装置を得ることができるようになる。
請求項（抜粋）：
静磁場用磁石(1)のクリアボア内に該静磁場用磁石(1)の磁場補正用の鉄シムアセンブリ(2)を設け、勾配磁場を作る内側勾配磁場コイル(3)とその外部に生ずる勾配磁場を打ち消すための外側勾配磁場コイル(4)とで構成されるシールド勾配コイルを前記静磁場用磁石(1)のクリアボア内に設けた鉄シム静磁場補正手段を備えたMRI用超電導磁石装置において、前記鉄シムアセンブリ(2)を前記外側勾配磁場コイル(4)の内側に取り付けることにより外側勾配磁場コイル(4)の直径を大きくすることを可能にしたことを特徴とする鉄シム静磁場補正手段を備えたMRI用超電導磁石装置。
IPC (3件)：
A61B 5/055
, G01R 33/38
, H01F 7/20
A61B 5/05 332
, G01N 24/06 A
, G01R 33/22 ZAA J
