特許
J-GLOBAL ID：200903060199152589
潜像測定を用いたフォトリソグラフィ制御方法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古谷 馨 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-043742
公開番号（公開出願番号）：特開平6-317913
出願日： 1993年03月04日
公開日（公表日）： 1994年11月15日
要約：
【要約】【目的】 迅速で再現性のあるフォトリソグラフィ制御方法及びその装置を提供する。【構成】 半導体ウェーハの処理方法及びその装置であり、ステッパからウェーハを取り外すことなく既露光で未現像のフォトレジストの光学特性を観察することを包含するものである。本発明は、フォトレジスト層を備えたウェーハをフォトリソグラフィ装置内に装填し、露光時間を含む初期セットの制御パラメータに従って前記フォトレジストに露光を行い、前記フォトリソグラフィ装置内のウェーハ及び/又は焦点を変更する、というステップを備えたものである。フォトレジストの現像に先立ち、潜像を検出する位相差顕微鏡を用いて既露光フォトレジストの光学特性を観察する。次いで、その潜像の観察に従って前記初期セットの制御パラメータを調節して第2のセットの制御パラメータを生成する。
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハの処理方法であって、この方法が、(a)フォトレジスト層を備えた第1のウェーハをフォトリソグラフィ装置内に装填し、(b)初期セットの制御パラメータに従って前記フォトレジストに露光を行い、(c)前記フォトレジストの現像に先立ち位相差顕微鏡を用いて前記フォトレジストの光学特性を観察し、(d)第2のセットの制御パラメータを生成するために前記初期セットの制御パラメータを調節する、というステップより成ることを特徴とする、半導体ウェーハの処理方法。
IPC (7件)：
G03F 7/26 501
, G03B 27/72
, G03F 7/20 521
, G03F 9/00
, G06F 15/62 405
, G06F 15/62
, H01L 21/027
H01L 21/30 502 G
, H01L 21/30 522 Z
