特許

J-GLOBAL ID：200903060199921990

半導体素子の電気特性測定装置、及び半導体素子の電気特性測定方法

発明者： 堀 誠一郎
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-148366
公開番号（公開出願番号）：特開2002-340974
出願日： 2001年05月17日
公開日（公表日）： 2002年11月27日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子の帯電や結露を防ぎ、かつ半導体素子の温度を正確に制御しながら、半導体素子の電気特性に測定できる測定装置、及びその測定方法を提供する。【解決手段】 測定対象である半導体素子1に対して、帯電量及び湿度を制御した気体を噴射させる。また半導体素子が形成された基板2をのせるステージ3と、半導体素子1の電気特性の測定に用いる針6と、半導体素子1に噴射させる気体の温度とを同一にする。

請求項（抜粋）：

半導体素子を形成する基板を温度制御可能なステージ上にのせた状態で、該半導体素子に光ファイバーを使用して光源からの光を照射し、前記半導体素子に針を接触させて電圧および電流を印加して該半導体素子の電気特性を測定する半導体素子の電気特性測定装置において、前記半導体素子に、湿度と帯電量とを制御した気体を噴射する気体噴射口を備える、ことを特徴とする半導体素子の電気特性測定装置。

IPC (2件)：

G01R 31/26 ,  H01L 21/66

FI (3件)：

G01R 31/26 H ,  G01R 31/26 J ,  H01L 21/66 B

Fターム (11件)：

2G003AC03 ,  2G003AD03 ,  2G003AD04 ,  2G003AD10 ,  2G003AG13 ,  2G003AH05 ,  4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106BA01 ,  4M106BA04 ,  4M106DD22