特許

J-GLOBAL ID：200903060200912312

アクティブマトリクス基板の製造方法

発明者： 橋爪 勉
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-256896
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164548
出願日： 1993年03月04日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：

【要約】【課題】 アクティブマトリクス基板の製造領域がすっぽり入るようにエキシマレーザを照射することによりシリコン薄膜を結晶化する。この方法で形成された多結晶シリコン薄膜が活性層である薄膜トランジスタをスイッチング素子にしてアクティブマトリクス基板を製造する。【解決手段】 特性が著しく優れた薄膜トランジスタでスイッチングできるので、高速駆動CMOS回路を内蔵した高密度、高精細、高品位の表示が可能なアクティブマトリクス基板を製造できる。

請求項（抜粋）：

一枚の基板上に、表示領域と駆動回路で構成されたアクティブマトリクス基板を複数個製造する工程において、基板上にシリコン薄膜を形成する工程と、エネルギービームの照射領域と非照射領域の境界が駆動回路形成領域あるいは表示領域に掛からないように、エネルギービ-ムを照射することによりシリコン薄膜を結晶化する工程と、上記結晶化したシリコン薄膜をパターニングする工程とを含むことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/00 348 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/336

FI (6件)：

G02F 1/1368 ,  G09F 9/00 348 C ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (71件)：

2H092GA59 ,  2H092GA60 ,  2H092JA24 ,  2H092KA04 ,  2H092MA28 ,  2H092MA30 ,  2H092PA06 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094EA04 ,  5C094EA07 ,  5C094GB10 ,  5F052AA02 ,  5F052BA20 ,  5F052BB02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA07 ,  5F052DA01 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB04 ,  5F052DB07 ,  5F052JA04 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE05 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110FF29 ,  5F110FF31 ,  5F110FF32 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG46 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN27 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5G435AA00 ,  5G435BB12 ,  5G435EE37 ,  5G435KK05

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-224255
  
• 特開平4-171717
  
• 特開昭62-282430