半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-199917
公開番号（公開出願番号）：特開平10-050632
出願日： 1996年07月30日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：

【要約】【課題】従来の埋め込み配線構造では、絶縁膜上に堆積される窒化シリコン膜と絶縁膜の界面は、溝部の金属膜表面の平面とほぼ一致しているため、隣接する配線間の容量は、比誘電率の高い窒化シリコン膜の存在により増加してしまう。【解決手段】基板1上に形成された絶縁膜2に溝を形成する工程と、溝を含む絶縁膜2上にバリアメタル3を形成する工程と、バリアメタル3上に金属膜4を堆積するとともに溝内に金属膜4を埋め込む工程と、絶縁膜2上に存在するバリアメタル3及び金属膜4を除去する工程を有し、バリアメタル及び金属膜を除去する工程において、溝内に残存する前記金属膜の表面を前記絶縁膜の表面よりも所定の距離だけ低くする構成となっている。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された絶縁膜に溝を形成する工程と、前記溝を含む前記絶縁膜上にバリアメタルを形成する工程と、前記バリアメタル上に金属膜を堆積するとともに前記溝内に前記金属膜を埋め込む工程と、前記絶縁膜上に存在する前記バリアメタル及び前記金属膜を除去する工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記バリアメタル及び前記金属膜を除去する工程において、前記溝内に残存する前記金属膜の表面を前記絶縁膜の表面よりも所定の距離だけ低くすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/28 301 R , H01L 21/88 M

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