特許
J-GLOBAL ID：200903060203829874
pn接合型発光ダイオード
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-121203
公開番号（公開出願番号）：特開平6-334214
出願日： 1993年05月24日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【構成】 n型SiC単結晶基板上に、少なくともn型SiC単結晶層からなる発光層と、該発光層上に第1のp型SiC単結晶層を有したpn接合型SiC発光ダイオードであって、前記発光層が5μm以上の層厚を有するpn接合型発光ダイオード。【効果】 実用化の可能な高光度の青色発光を呈するpn接合型発光ダイオードを提供することができる。
請求項（抜粋）：
n型SiC単結晶基板上に、少なくともn型SiC単結晶層からなる発光層と、該発光層上に第1のp型SiC単結晶層を有したpn接合型SiC発光ダイオードであって、前記発光層の層厚が5μm以上であることを特徴とするpn接合型発光ダイオード。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, C01B 31/36
, H01L 21/205
