特許

J-GLOBAL ID：200903060205341453

半導体装置の製造方法

発明者： 前田 一史 ,  小山 徹
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-005000
公開番号（公開出願番号）：特開平8-195438
出願日： 1995年01月17日
公開日（公表日）： 1996年07月30日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置の信頼度を低下させることなく、絶縁膜の平坦が図れる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 表面に段差のついているTEOS酸化膜3上にドープトポリシリコン膜4を形成後、このドープトポリシリコン膜4中の不純物をTEOS酸化膜3中に拡散させる。つぎに、ドープトポリシリコン膜4を除去した後、不純物濃度の高いシリコン窒化膜に対して選択性の高いエッチングを施して、不純物の拡散したTEOS酸化膜3aをエッチング処理する。TEOS酸化膜3中の不純物の拡散境界面Sはほぼ平坦に形成されるため、エッチングにより絶縁膜表面は平坦化される。

請求項（抜粋）：

シリコン酸化膜上にドープトポリシリコン膜を形成後、このドープトポリシリコン膜中の不純物を前記シリコン酸化膜中に拡散させ、つぎに、前記ドープトポリシリコン膜を除去した後、不純物濃度の高いシリコン酸化膜に対して選択性の高いエッチングを施して、前記不純物の拡散した前記シリコン酸化膜をエッチング処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/225 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/90 P ,  H01L 21/302 L