特許

J-GLOBAL ID：200903060212254191

半導体装置の製造方法

発明者： 岩森 則行 ,  葛原 剛 ,  磯部 良彦 ,  金丸 俊隆
出願人/特許権者： 日本電装株式会社
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-102506
公開番号（公開出願番号）：特開平8-298248
出願日： 1995年04月26日
公開日（公表日）： 1996年11月12日
要約：

【要約】【目的】コンタクト用高濃度不純物領域を介した配線用金属とのコンタクトをとるとともに配線用金属のステップカバレッジの向上を確実に図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】シリコン基板1の表面にBPSG膜5を形成し、シリコン基板1の一部領域を露出するコンタクト穴6を形成する。シリコン基板1の表面側からのボロンのイオン注入を行いコンタクト穴6の形成領域におけるシリコン基板1の表面に高濃度P+ 領域7を形成し、BPSG膜5の表面を所定量エッチング除去し、ボロンリッチ層8(ガラス転移温度が高い領域)を除去する。熱処理によりBPSG膜5におけるコンタクト穴6の角部を丸くする。コンタクト穴6の形成領域に配線用金属膜を配置し、高濃度P+ 領域7を介して金属配線膜とシリコン基板1のP+ ソース・ドレイン領域(3)とを電気的に接続する。

請求項（抜粋）：

半導体領域の表面にガラス質の絶縁膜を形成するとともに半導体領域の一部領域を露出するコンタクト穴を形成する第1工程と、前記半導体領域の表面側からの不純物のイオン注入を行いコンタクト穴の形成領域における前記半導体領域の表面に高濃度不純物拡散領域を形成する第2工程と、前記ガラス質の絶縁膜の表面を所定量エッチング除去する第3工程と、熱処理により前記ガラス質の絶縁膜におけるコンタクト穴の角部を丸くする第4工程と、前記コンタクト穴の形成領域に配線用金属膜を配置し、前記高濃度不純物拡散領域を介して前記配線用金属膜と前記半導体領域とを電気的に接続する第5工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/28 V ,  H01L 21/302 N ,  H01L 29/78 301 Y