特許

J-GLOBAL ID：200903060212501326

高出力垂直外部共振器型の面発光レーザ

発明者： 金 起 成 ,  金 澤 ,  田 憲 秀
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (3件)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  宇谷 勝幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-212206
公開番号（公開出願番号）：特開2007-049144
出願日： 2006年08月03日
公開日（公表日）： 2007年02月22日
要約：

【課題】高出力垂直外部共振器型の面発光レーザを提供する。【解決手段】基板110上に形成された下部DBRミラー120と、下部DBRミラー上に形成されたRPG層130と、RPG層上に形成されたキャッピング層140と、キャッピング層の表面にポンプ光を照射する光学ポンプ160と、下部DBRミラーに対向して外部に設置される外部共振ミラー170と、を備え、RPG層は、定常波の節位置に周期的に設けられるものであって、ポンプ光のバンドギャップより大きいエネルギーバンドギャップ幅を有する物質から形成された第1バリア層132と、第1バリア層の間に介在するものであって、InGaAs物質から形成される複数の量子ウェル層136a及びそれぞれの量子ウェル層の上下部に設けられる第2バリア層136bを備える利得層136と、を備えるVECSEL素子である。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

基板上に形成された下部DBRミラーと、 前記下部DBRミラー上に形成されたRPG層と、 前記RPG層上に形成されたキャッピング層と、 前記キャッピング層の表面にポンプ光を照射する光学ポンプと、 前記下部DBRミラーに対向して外部に設置される外部共振ミラーと、を備え、 前記RPG層は、 定常波の節位置に周期的に設けられるものであって、前記ポンプ光のバンドギャップより大きいエネルギーバンドギャップ幅を有する物質から形成された第1バリア層と、 前記第1バリア層の間に介在するものであって、InGaAs物質から形成される複数の量子ウェル層及び前記それぞれの量子ウェル層の上下部に設けられる第2バリア層を備える利得層と、を備えることを特徴とするVECSEL素子。

IPC (1件)：

H01S 5/187

FI (1件)：

H01S5/187

Fターム (4件)：

5F173AC03 ,  5F173AC20 ,  5F173AC52 ,  5F173AH03