特許

J-GLOBAL ID：200903060214312741

アモルフアスシリコン感光体の作製方法

発明者： 辻田 明夫 ,  中村 正憲 ,  前川 勉
出願人/特許権者： 日立工機株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-318079
公開番号（公開出願番号）：特開平5-150532
出願日： 1991年12月02日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：

【要約】【目的】 本発明の目的は、優れた耐久性を有するa-Si感光体の障壁層、光導電層及び表面保護層の膜作成時におけるガス混合比、基板温度及び膜厚の最適化を図り、電子写真特性を向上させることにある。【構成】 支持体にガス流量比がN2/SiH4=0.5〜5、B2H6/SiH4=1×10~3〜1×10~2、基板温度が300〜350°C、膜厚が1〜2μmで障壁層を作製し、次にガス流量比がN2/SiH4=1×10~5〜5×10~3、B2H6/SiH4=1×10~6〜5×10~5、基板温度が260〜300°C、膜厚が15μm以上で光導電層を作製し、最後にガス流量比がN2/SiH4=3〜20、B2H6/SiH4=1×10~5〜5×10~4、基板温度が300〜380°C、膜厚が0.2〜0.8μmで表面保護層を感光体を作製するようにした。

請求項（抜粋）：

少なくとも表面の位置部が導電性を有する基板と、原料ガスに原料ガスにSiH4,H2,N2,B2H6を使用したケイ素を母体とする非晶質材料からなる単層または複数層の障壁層・光導電層・表面保護膜を有するアモルファスシリコン感光体であって、上記障壁層生成時のガス流量比が、N2/SiH4=0.5〜5、B2H6/SiH4=1×10~3〜1×10~2であり、光導電層生成時のガス流量比がN2/SiH4=1×10~5〜5×10~3、B2H6/SiH4=1×10~6〜5×10~5であり、表面保護膜生成時のガス流量比がN2/SiH4=3〜20、B2H6/SiH4=1×10~5〜5×10~4であり、これらの三層でp-i-n接合の逆バイアス状態となるように構成したことを特徴とするアモルファスシリコン感光体の作製方法。

IPC (5件)：

G03G 5/08 360 ,  G03G 5/08 305 ,  G03G 5/08 306 ,  G03G 5/08 315 ,  G03G 5/08 336