特許
J-GLOBAL ID：200903060214636709
薄膜配線の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-009962
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221431
出願日： 1994年01月31日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：
【要約】【目的】 薄膜配線パターンの如何に拘らず、常に所定の薄膜配線パターンを高精度に形成し得る薄膜配線パターンの形成方法の提供を目的とする。【構成】 ベース基板5の主面に導電性金属薄膜6を被着,形成する工程と、前記導電性金属薄膜6面に、所定の薄膜配線パターン形成領域面および薄膜配線パターン形成領域から離れた非配線パターン形成領域面を選択的にエッチングマスク7a,7bする工程と、前記薄膜配線パターン形成領域の露出する導電性金属薄膜6aを、ウエットエッチングにより選択的に除去して薄膜配線パターン6bを形成する工程と、前記エッチングマスク7a,7bを除去する一方、形成された薄膜配線パターン6bの側壁部を含む各露出側面部を再びエッチングマスク7cする工程と、前記露出させた非配線パターン形成領域の導電性金属薄膜6をウエットエッチングにより選択的に除去する工程と、前記薄膜配線パターン6bを被覆しているエッチングマスク7cを除去する工程とを具備して成ることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板の主面に導電性金属薄膜を被着,形成する工程と、前記導電性金属薄膜面に、所定の薄膜配線パターン形成領域面および薄膜配線パターン形成領域から離れた非配線パターン形成領域面を選択的にエッチングマスクする工程と、前記薄膜配線パターン形成領域の露出する導電性金属薄膜をウエットエッチングにより選択的に除去して薄膜配線パターンを形成する工程と、前記エッチングマスクを除去する一方、形成された薄膜配線パターンの側壁部を含む各露出側面部を再びエッチングマスクする工程と、前記露出させた非配線パターン形成領域の導電性金属薄膜をウエットエッチングにより選択的に除去する工程と、前記薄膜配線パターンを被覆しているエッチングマスクを除去する工程とを具備して成ることを特徴とする薄膜配線の形成方法。
IPC (2件)：
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