特許
J-GLOBAL ID:200903060215823359
セラミック基板及び分割回路基板
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-294744
公開番号(公開出願番号):特開2003-101225
出願日: 2001年09月26日
公開日(公表日): 2003年04月04日
要約:
【要約】【課題】配線層と端面電極との接続信頼性を向上できるセラミック基板及び分割回路基板を提供する。【解決手段】絶縁層21a〜21hを複数積層してなる絶縁基体21と、絶縁基体21表面に形成された分割溝17と、絶縁基体21の厚み方向に形成され、かつ分割溝17上に形成された打抜孔27とを有し、分割溝17で絶縁基体21を分割した際にそれぞれが複数の端面電極2を有する分割回路基板となるセラミック基板であって、各絶縁層21a〜21hの厚み方向に、打抜孔27内に一部露出する柱状導体9を所定間隔をおいて複数形成するとともに、隣接する上下の絶縁層21a〜21hの柱状導体9が、絶縁基体21の上方から見て一部重畳し、該柱状導体9の重畳部分11が打抜孔27内に露出している。
請求項(抜粋):
セラミックスからなる絶縁層を複数積層してなる絶縁基体と、前記絶縁層間に形成された配線層と、該配線層に接続されるビアホール導体と、前記絶縁基体表面に形成された分割溝と、前記絶縁基体の厚み方向に形成され、かつ前記分割溝の延長線上に形成された打抜孔とを有し、前記分割溝で前記絶縁基体を分割した際にそれぞれが複数の端面電極を有する分割回路基板となるセラミック基板であって、前記各絶縁層の厚み方向に、前記打抜孔内に一部露出する柱状導体を前記打抜孔に沿って所定間隔をおいて複数形成するとともに、隣接する上下の前記絶縁層の柱状導体が、前記絶縁基体の上方から見て一部重畳し、該柱状導体の重畳部分が前記打抜孔内に露出していることを特徴とするセラミック基板。
IPC (7件):
H05K 3/46
, H01L 23/12
, H01L 23/13
, H05K 1/02
, H05K 1/11
, H05K 3/00
, H05K 3/40
FI (8件):
H05K 3/46 H
, H05K 3/46 N
, H05K 1/02 G
, H05K 1/11 F
, H05K 3/00 X
, H05K 3/40 D
, H01L 23/12 C
, H01L 23/12 L
Fターム (49件):
5E317AA22
, 5E317AA26
, 5E317BB04
, 5E317BB12
, 5E317BB14
, 5E317CC22
, 5E317CC25
, 5E317CD21
, 5E317CD31
, 5E317CD32
, 5E317GG11
, 5E338AA03
, 5E338AA18
, 5E338BB02
, 5E338BB13
, 5E338BB25
, 5E338BB47
, 5E338BB48
, 5E338BB65
, 5E338BB75
, 5E338CC01
, 5E338CC04
, 5E338CC06
, 5E338CD01
, 5E338CD33
, 5E338EE11
, 5E338EE26
, 5E338EE33
, 5E346AA15
, 5E346AA38
, 5E346AA42
, 5E346AA43
, 5E346AA60
, 5E346BB01
, 5E346BB13
, 5E346BB16
, 5E346CC18
, 5E346CC32
, 5E346CC39
, 5E346DD02
, 5E346DD34
, 5E346EE23
, 5E346EE24
, 5E346FF18
, 5E346FF42
, 5E346GG05
, 5E346GG08
, 5E346HH07
, 5E346HH33
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