特許
J-GLOBAL ID：200903060225692392
MOSFETとその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
渡辺 望稔
, 三和 晴子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-252896
公開番号（公開出願番号）：特開2004-095729
出願日： 2002年08月30日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：
【課題】MOSFETの特性を変えることなく、ホットキャリア劣化による絶縁破壊に至る確率を低減できるMOSFETとその製造方法を提供する。【解決手段】低濃度ドレイン領域内に開口部を有するマスクを通して、不純物を半導体基板表面領域に注入し、低濃度ドレイン領域内に、チャネル領域のドレイン領域側端部に対してオフセット長だけ離れて対向する辺をそれぞれ有する複数の端部を含む高濃度ドレイン領域を、複数の端部が互いに分離幅だけ離れて配置されるように形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
分離領域に囲まれた半導体基板表面領域上に、ゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し、該半導体基板表面領域の該ゲート電極によって覆われた部分に、第1導電型のチャネル領域を形成する工程と、
前記ゲート電極をマスクとして、第2導電型の第1の不純物を前記半導体基板表面領域に注入して、前記チャネル領域の両側に低濃度ソース、ドレイン領域を形成する工程と、
前記低濃度ドレイン領域内に開口部を有するマスクを通して、前記第2導電型の第2の不純物を前記半導体基板表面領域に注入し、前記低濃度ドレイン領域内に、前記チャネル領域のドレイン領域側端部に対してオフセット長だけ離れて対向する辺をそれぞれ有する複数の端部を含む高濃度ドレイン領域を、該複数の端部が互いに分離幅だけ離れて配置されるように形成する工程と、
前記高濃度ドレイン領域上に絶縁膜を形成し、該形成された絶縁膜に、前記高濃度ドレイン領域を配線に接続するコンタクト孔を形成する工程とを含むことを特徴とするMOSFETの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (14件)：
5F140AA23
, 5F140AA25
, 5F140BH08
, 5F140BH12
, 5F140BH17
, 5F140BH19
, 5F140BH30
, 5F140BJ23
, 5F140BJ25
, 5F140BJ28
, 5F140BK13
, 5F140BK21
, 5F140CB01
, 5F140CD08
