窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-181392
公開番号（公開出願番号）：特開平10-079530
出願日： 1997年07月07日
公開日（公表日）： 1998年03月24日
要約：

【要約】【課題】この発明は、チップ面積の縮小及び集積度の向上を図ることができ、さらに、量産性に優れた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供することを課題とする。【解決手段】この発明は、導電性材料からなる基板3と、導電性基板3の一主面上に形成された窒化ガリウム系化合物半導体バッファ層5、バッファ層5上に形成された第1導電型窒化ガリウム系化合物半導体層7と、第1導電型層7上に形成された第2導電型窒化ガリウム系化合物半導体層9と、第2導電型層9上に形成された第1の電極13と、導電性基板3の他の主面上に形成された第2の電極15とを少なくとも具備するように構成される。

請求項（抜粋）：

導電性材料からなる基板と、該導電性基板の一主面上に形成された窒化ガリウム系化合物半導体バッファ層と、該窒化ガリウム系化合物半導体バッファ層上に形成された第1導電型窒化ガリウム系化合物半導体層と、該第1導電型窒化ガリウム系化合物半導体層上に形成された第2導電型窒化ガリウム系化合物半導体層と、該第2導電型窒化ガリウム系化合物半導体層上に形成された第1の電極と、前記導電性基板の他の主面上に形成された第2の電極とを少なくとも具備することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-068579
化合物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-042964 出願人：株式会社東芝
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-273877 出願人：三菱電線工業株式会社

全件表示

前のページに戻る