光電変換半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-153380
公開番号（公開出願番号）：特開2002-350793
出願日： 2001年05月23日
公開日（公表日）： 2002年12月04日
要約：

【要約】【課題】光電変換半導体素子をコプレナ基板に実装する際に、特性インピーダンスの変動が抑制される光電変換半導体装置を提供する。【解決手段】光電変換半導体装置は、光電変換半導体素子1、コプレナ基板2および終端抵抗3を備えている。光電変換半導体素子1が実装される領域に位置するシグナルライン4とグランドライン5との間隔Wが、光電変換半導体素子1が実装されない領域における間隔よりも広くなっており、光電変換半導体素子1が実装される領域に位置するシグナルライン4の幅が、光電変換半導体素子1が実装されない領域における幅よりも狭くなっている。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板に形成されて延在するシグナルラインと、前記基板に形成され、前記シグナルラインと間隔を隔てて延びるグランドラインと、前記基板に形成され、前記シグナルラインと前記グランドラインとを電気的に接続する抵抗部と、前記シグナルラインと前記グランドラインを覆うように前記基板に実装され、前記シグナルラインと前記グランドラインとに電気的に接続されて、変調信号を送るための給電部から送られたその変調信号を受けることで、受光した光を変調して出力する光電変換半導体素子とを有する光電変換半導体装置であって、インピーダンスが前記給電部のインピーダンスと実質的に同じであり、前記光電変換半導体素子を前記基板に実装する際のインピーダンスの変動を抑制するために、前記光電変換半導体素子が実装される領域に位置する前記シグナルラインおよび前記グランドラインの配置関係が、前記光電変換半導体素子が実装されない領域に位置する前記シグナルラインおよび前記グランドラインの配置関係と異なっている、光電変換半導体装置。

Fターム (8件)：

2H079AA02 , 2H079AA13 , 2H079BA01 , 2H079CA05 , 2H079DA28 , 2H079EB04 , 2H079EB12 , 2H079HA12

引用特許：

審査官引用 (1件)

高周波半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-208188 出願人：京セラ株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

電子情報通信学会総合大会講演論文集, 20010307, Vol.2001 エレクトロニクス1, 255

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