特許

J-GLOBAL ID：200903060244093041

半導体装置およびその作製方法

発明者： 岩田 浩和
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-122716
公開番号（公開出願番号）：特開2002-319703
出願日： 2001年04月20日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
要約：

【要約】【課題】 動作電圧が低く、信頼性の高いIII族窒化物の半導体装置を提供する。【解決手段】 第1のn型III族窒化物半導体積層構造,p型III族窒化物半導体積層構造,第2のn型III族窒化物半導体積層構造を少なくとも有するIII族窒化物半導体積層構造が、基板上に形成されており、第1のn型III族窒化物半導体積層構造には正電極が設けられ、第2のn型III族窒化物半導体積層構造には負電極が設けられ、第1のn型III族窒化物半導体積層構造のn型III族窒化物半導体層とp型III族窒化物半導体積層構造のp型III族窒化物半導体層とによるトンネルダイオードを有し、また、第2のn型III族窒化物半導体積層構造とp型III族窒化物半導体積層構造とによる発光領域を有している。

請求項（抜粋）：

第1のn型III族窒化物半導体積層構造,p型III族窒化物半導体積層構造,第2のn型III族窒化物半導体積層構造を少なくとも有するIII族窒化物半導体積層構造が、基板上に形成されており、第1のn型III族窒化物半導体積層構造には正電極が設けられ、第2のn型III族窒化物半導体積層構造には負電極が設けられ、第1のn型III族窒化物半導体積層構造のn型III族窒化物半導体層とp型III族窒化物半導体積層構造のp型III族窒化物半導体層とによるトンネルダイオードを有し、また、第2のn型III族窒化物半導体積層構造とp型III族窒化物半導体積層構造とによる発光領域を有していることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/343 610

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/343 610

Fターム (45件)：

5F041AA03 ,  5F041AA08 ,  5F041AA43 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041FF13 ,  5F041FF14 ,  5F041FF16 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DA55 ,  5F045EB15 ,  5F045HA13 ,  5F045HA16 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073BA01 ,  5F073BA04 ,  5F073BA07 ,  5F073CA07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA21 ,  5F073DA31 ,  5F073DA34 ,  5F073EA28 ,  5F073EA29