特許
J-GLOBAL ID：200903060245254634
III族窒化物系化合物半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
小西 富雅
, 中村 知公
, 萩野 幹治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-159599
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006498
出願日： 2002年05月31日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：
【目的】バンプの形成が容易な半田を用いてフリップチップタイプの発光素子の電極をリード電極(外部電極)へ機械的にかつ電気的に安定して接続する。【構成】発光素子の表面を被覆する絶縁層から露出する電極の部分の最上層を半田と合金を形成し易いNi、Cu、Ag、Fe及びMoから選ばれる少なくとも1種の金属又はその合金で形成する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
フリップチップタイプのIII族窒化物系化合物半導体発光素子であって、
電極を部分的に露出する絶縁層を有し、
前記電極において露出部分の最上層はNi、Cu、Ag、Fe及びMoから選ばれる少なくとも1種の金属又はその合金からなる、
ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (13件)：
5F041AA44
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA82
, 5F041CA92
, 5F041DA09
, 5F041DA18
, 5F041DB09
